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TrenchMV TM Power
MOSFET
( Electrically Isolated Back Surface)
IXTC200N10T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 100V
= 101A
≤ 6.3m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
ISOPLUS220
Symbol
V DSS
V DGR
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
Maximum Ratings
100
100
± 30
V
V
V
E153432
I D25
I LRMS
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
101
75
A
A
G
DS
Isolated back surface
I DM
I A
E AS
P D
T J
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
500
40
1.5
160
-55 ... +175
A
A
J
W
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
T JM
T stg
T L
V ISOL
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
50/60Hz, t = 1 minute, I ISOL < 1mA, RMS
Mounting force
ISOPLUS220
175
-55 ... +175
300
260
2500
11..65 / 2.5..14.6
2
° C
° C
° C
° C
V
N/lb.
g
Silicon chip on Direct-Copper Bond
(DCB) substrate
Isolated mounting surface
2500V electrical isolation
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
100 V
Automotive
- Motor Drives
- High Side Switch
- 12V Battery
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 150 ° C
2.5
4.5
± 200
5
250
V
nA
μ A
μ A
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary - Side Switch
High Current Switching Applications
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 50A , Notes 1
6.3
m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99653A(10/08)
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相关代理商/技术参数
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IXTC220N075T 功能描述:MOSFET 220 Amps 75V 4.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTC230N085T 功能描述:MOSFET 136 Amps 85V 4.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTC240N055T 功能描述:MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTC250N075T 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTC26N50P 功能描述:MOSFET 14.0 Amps 500 V 0.26 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTC280N055T 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTC36P15P 功能描述:MOSFET -22.0 Amps -150V 0.120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube